Connecting two wafers, comprises placing one on top of the other and then heating the contact region locally for a limited time

Verfahren zum Verbinden zweier Wafer und Waferanordnung

Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verbinden zweier Wafer (11, 12), bei dem durch Übereinanderlegen der beiden Wafer (11, 12) ein Kontaktbereich (15) zwischen den Wafern (11, 12) gebildet wird und bei dem der Kontaktbereich (15) örtlich und zeitliche begrenzt erhitzt wird. Weiter betrifft die Erfindung eine Waferanordnung, bei der zwei übereinanderliegende Wafer (11, 12), zwischen deren gegenüberliegenden Oberflächen sich ein Kontaktbereich (15) befindet, an ausgewählten Bereichen (21) ihres Kontaktbereichs miteinander verbunden sind. Das Verfahren zum Verbinden zweier Wafer (11, 12) sowie die Waferanordnung sind dabei insbesondere für die Verarbeitung besonders temperaturempfindlicher Bauteile geeignet.
A process for connecting two wafers (11,12), comprises forming a contact region (15) by placing one wafer on top of the other. The contact region is then heated locally for a limited time. After heating the wafer is cooled. Heating is by laser (16).

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Patent Citations (5)

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